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MEMS景德镇变器芯片在设计、工艺、生产方面与IC的不同之处
作者:景德镇变压器厂 日期:2018-08-10 人气:742
MEMS景德镇变器芯片在设计、工艺、生产方面与IC的不同之处
现在很多景德镇变器都采用MEMS工艺制造,所谓的MEMS制造工艺是下至纳米尺度,上至毫米尺度微结构加工工艺的通称。广义上的MEMS制造工艺,方十分丰富,几乎涉及了各种现代加工技术。
MEMS工艺起源于半导体和微电子工艺,以光刻、外延、薄膜淀积、氧化、扩散、注入、溅射、蒸镀、刻蚀、划片和封装等为基本工艺步骤来制造复杂三维形体的微加工技术。
下面我们来说下MEMS景德镇变器芯片在设计、工艺、生产方面与传统IC的不同之处。
与传统IC行业注重二维静止的电路设计不同,MEMS以理论为基础,结合电路知识设计三维动态产品。对于在微米尺度进行机械设计会更多地依靠经验,设计开发工具也与传统IC不同。MEMS景德镇变器芯片加工除了使用大量传统的IC工艺,还需要一些特殊工艺,如双面刻蚀,双面光刻等。MEMS比较传统IC,工艺简单,光刻步骤少,MEMS景德镇变器芯片生产的一些非标准的特殊工艺,工艺参数需要按照产品的要求来进行调整。由于需要产品设计、工艺设计和生产三方面的密切配合,IDM的模要优于Fabless+Foundry的模。MEMS景德镇变器芯片对封装技术的要求很高。传统半导体厂商的4〃生产线正面临淘汰,即使用来生产LDO,其利润也非常低,但是,如果生产MEMS景德镇变器芯片,则可获得较高的利润。4〃线上的每一个圆晶片可生产合格的MEMS景德镇变器Die5-6K个,每个出售后,可获成本7-10倍的毛利。转产MEMS对厂家的工艺要求改动不大,新增辅助设备有限,投资少、效益高。MEMS景德镇变器芯片与IC芯片整合封装是集成电路技术发展的新趋势,也是传统IC厂商的新机遇。
MEMS工艺起源于半导体和微电子工艺,以光刻、外延、薄膜淀积、氧化、扩散、注入、溅射、蒸镀、刻蚀、划片和封装等为基本工艺步骤来制造复杂三维形体的微加工技术。
下面我们来说下MEMS景德镇变器芯片在设计、工艺、生产方面与传统IC的不同之处。
与传统IC行业注重二维静止的电路设计不同,MEMS以理论为基础,结合电路知识设计三维动态产品。对于在微米尺度进行机械设计会更多地依靠经验,设计开发工具也与传统IC不同。MEMS景德镇变器芯片加工除了使用大量传统的IC工艺,还需要一些特殊工艺,如双面刻蚀,双面光刻等。MEMS比较传统IC,工艺简单,光刻步骤少,MEMS景德镇变器芯片生产的一些非标准的特殊工艺,工艺参数需要按照产品的要求来进行调整。由于需要产品设计、工艺设计和生产三方面的密切配合,IDM的模要优于Fabless+Foundry的模。MEMS景德镇变器芯片对封装技术的要求很高。传统半导体厂商的4〃生产线正面临淘汰,即使用来生产LDO,其利润也非常低,但是,如果生产MEMS景德镇变器芯片,则可获得较高的利润。4〃线上的每一个圆晶片可生产合格的MEMS景德镇变器Die5-6K个,每个出售后,可获成本7-10倍的毛利。转产MEMS对厂家的工艺要求改动不大,新增辅助设备有限,投资少、效益高。MEMS景德镇变器芯片与IC芯片整合封装是集成电路技术发展的新趋势,也是传统IC厂商的新机遇。
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